A Voltage Controlled Floating Resistor Circuit Using Gate - Body Biasing Technique(วงจรความต้านทานแบบลอยตัวปรับค่าได้ด้วยแรงดันโดยใช้เทคนิคการไบแอสแบบเกท - บอดี)

Abstract

บทความนี้นำเสนอวงจรความต้านทานแบบลอยตัวปรับค่าได้ด้วยแรงดันโดยใช้เทคนิคการไบแอสแบบเกท-บอดี ซึ่งออกแบบง่าย ไม่มีการสูญเสียกำลังไฟฟ้า สามารถตอบสนองได้ที่ความถี่สูง และสร้างได้โดยใช้มอสทรานซิสเตอร์เพียงแค่ตัวเดียว ผลการทดสอบด้วยโปรแกรม Pspice พบว่าวงจรมีความผิดพลาดจากความเป็นเชิงเส้นสูงสุด 1.58% มีความผิดเพี้ยนทางฮาร์โมนิค 0.24% และมีความถี่ตอบสนองสูงถึง 309.52 MHz 

This paper proposes a voltage controlled floating resistor circuit using Gate-Body biasing technique. The circuit was created by a single MOSFET, operated in high frequency and no loses power consumption. The simulation results are demonstrated by Pspice program. It was found that the maximum linearity error is 1.58%, total harmonic distortion (THD) is 0.24% and the -3dB of the circuit is high up to 309.52 MHz.