วงจรส่งผ่านข้อมูลโดยใช้ทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ VCMOIS

Abstract

ทรานซิสเตอร์โครงสร้างแบบ CMOIS ที่มีช่องทางเดินกระแสที่ผิวแบบธรรมดา และชนิดที่มีช่องทางเดินกระแสรูปวี ได้รับการพัฒนาสร้างเป็นวงจรส่งผ่านข้อมูลแบบสองทาง เพื่อทำการเปรียบเทียบคุณสมบัติทางไฟฟ้าในด้านต่างๆ ของวงจร อาทิเช่น ความเร็วในการส่งสัญญาณ ค่าแรงดันตกคร่อมวงจร ค่าความต้านทานภายในวงจร ค่าความจุไฟฟ้าแฝงในวงจร เป็นต้น จากผลการทดลองที่ได้สามารถสรุปได้ว่า วงจรผ่านข้อมูลทางตรรกแบบสองทางที่สร้างด้วยโครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบ CMOIS และโครงสร้างช่องทางเดินกระแสรูปวี มีคุณสมบัติทางไฟฟ้าดีกว่าวงจรที่สร้างโดยใช้โครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบเดียวกันกับที่มีช่องทางเดินกระแสที่ผิดแบบธรรมดา เมื่อกำหนดให้พื้นที่บนแผ่นผลึกซิลิกอนที่ใช้ในการออกแบบรูปทรงทางเรขาคณิตด้านบนเท่ากัน