วงจรซีมอสสายพานกระแสยุคที่สองอาศัยพื้นฐานโอทีเอแบบทั่วไปที่ใช้วิธีการไบอัสที่ขาบอดี้ และทรานซิสเตอร์แบบเกทลอยเสมือนทำงานที่แรงดันไฟเลี้ยงต่ำ

Main Article Content

ธวัชชัย ทองเหลี่ยม

Abstract

บทความนี้นำเสนอวงจรสายพานกระแสยุคที่สองซึ่งอาศัยหลักการของวงจรโอทีเอและใช้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แบบใหม่ที่ซึ่งทำงานภายใต้ไฟเลี้ยงต่ำได้ วงจรภาคอินพุตได้ถูกออกแบบให้ใช้การป้อนแรงดันที่ขาบอดี้ และทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอยขณะที่ภาคเอาต์พุตถูกต่อในลักษณะคลาส-เอบีด้วยทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอยงานวิจัยนี้ได้ออกแบบให้วงจรสามารถทำงานที่แรงดันไฟเลี้ยง 1 โวลต์ วงจรสายพานกระแสยุคที่สองที่นำเสนอนี้ถูกออกแบบโดยใช้เทคโนโลยีซีมอสขนาด 0.18 ไมโครเมตร จากผลการจำลองวงจรสายพานกระแสยุคที่สองที่นำเสนอแสดงแรงดันอินพุตและเอาต์พุตสวิงมีช่วงปฏิบัติการกว้าง และผลการจำลองพบว่าแรงดัน vX = vY และ iZ = iX ในลักษณะเชิงเส้นกำลังสูญเสียของวงจรสายพานกระแสยุคที่สองที่ใช้การไบอัสที่ขาเกทค่าเท่ากับ 40 ไมโครวัตต์ การป้อนแรงดันที่ขาบอดี้ค่าเท่ากับ 40 ไมโครวัตต์ และทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอยมีค่าเท่ากับ 40 ไมโครวัตต์

Article Details

How to Cite
ทองเหลี่ยม ธ. (2015). วงจรซีมอสสายพานกระแสยุคที่สองอาศัยพื้นฐานโอทีเอแบบทั่วไปที่ใช้วิธีการไบอัสที่ขาบอดี้ และทรานซิสเตอร์แบบเกทลอยเสมือนทำงานที่แรงดันไฟเลี้ยงต่ำ. Interdisciplinary Research Review, 10(1), 24–31. Retrieved from https://ph02.tci-thaijo.org/index.php/jtir/article/view/42567
Section
Research Articles