การศึกษาพื้นผิวฟิล์มบางอินเดียมทินออกไซด์ บนแผ่นซิลิกอนจากแรงดันไฟฟ้าในการสปาร์ค

บทคัดย่อ

การสร้างฟิล์มบางด้วยเทคนิคการสปาร์คมีต้นทุนที่ต่ำ สำหรับหลักการคือการใช้สองขั้วไฟฟ้าแรงสูงทำการสปาร์คเพื่อให้ไอระเหยของอินเดียมและดีบุกจากลวดตกลงสู่พื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนทางด้านล่าง โดยในงานวิจัยนี้ได้ทำการศึกษาสมบัติของฟิล์มบางอินเดียมทินออกไซด์บนแผ่นซิลิกอนจากแรงดันไฟฟ้าในการสปาร์คที่ 4 kV, 7 kV และ 10 kV ฟิล์มบางอินเดียมทินออกไซด์ที่ถูกอบที่อุณหภูมิ 250 องศาเซลเซียส เป็นระยะเวลา 180 นาทีและได้รับการตรวจสอบพื้นผิวโดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดร่วมกับเทคนิคการวัดการกระจายพลังงานของรังสีเอกซ์ (SEM/EDS) ซึ่งพบว่าพื้นผิวของฟิล์มบางอินเดียมทินออกไซด์เป็นลักษณะเป็นแบบอะมอร์ฟัส (Amorphous) เมื่อใช้แรงดันไฟฟ้าที่ 7 kV และ 10 kV อย่างไรก็ตามสามารถยืนยันได้ว่าที่แรงดันไฟฟ้า 4 kV ไม่สามารถพบลักษณะเฉพาะของฟิล์มได้แต่อย่างใด นอกจากนั้นที่แรงดันไฟฟ้าในการสปาร์คที่สูงขึ้นได้ส่งผลให้ฟิล์มที่ได้มีลักษณะที่สม่ำเสมอมากขึ้น