Light sensor of TiO2 doped Al2O3 thin films by using sintering
Article Sidebar
Main Article Content
Abstract
A light sensor is an electronic device that changes the electrical resistance of a material when it is subjected to light energy. TiO2 is a high resistance semiconductor and a good photocatalyst. Al2O3 is transparent, allows light to pass through and can conduct electricity. When the surface of a semiconductor is exposed to light, its resistance decreases because the oxygen at the surface is released, resulting in an oxygen vacancy. In this study, TiO2 doped with Al2O3 at 5% by mole was sintered at 900, 950 and 1000°C and coated on conductive glass by spin coating technique. The study of phase characteristics of the samples revealed that at higher temperature of sintering, higher peaks of TiO2 and Al2O3 planes were obtained by XRD techniques. Additionally, SEM images showed that the larger particle size, the lower resistance. It was also found from the study that when 1000 W/m2 intensity from solar simulator was lit on the surface of the thin film, it resulted in the reduction of resistance. When the light was off, the resistance increased but marked lower than its previous level. It is also found that the resistance tended to fell until it reached saturation point. The thin film at 900°C was exhibited the greatest resistance change range. Thus, Al2O3-doped TiO2 thin film is suitable for the fabrication of light sensors.
Article Details
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International License.
เนื้อหาและข้อมูลในบทความที่ลงตีพิมพ์ในวารสารวารสารวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีถือเป็นข้อคิดเห็นและความรับผิดชอบของผู้เขียนบทความโดยตรงซึ่งกองบรรณาธิการวารสาร ไม่จำเป็นต้องเห็นด้วย หรือร่วมรับผิดชอบใด ๆ
บทความ ข้อมูล เนื้อหา รูปภาพ ฯลฯ ที่ได้รับการตีพิมพ์ในวารสารวารสารวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีถือเป็นลิขสิทธิ์ของวารสารวารสารวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีหากบุคคลหรือหน่วยงานใดต้องการนำทั้งหมดหรือส่วนหนึ่งส่วนใดไปเผยแพร่ต่อหรือเพื่อกระทำการใด ๆ จะต้องได้รับอนุญาตเป็นลายลักษณ์อักษรจากวารสารวารสารวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี ก่อนเท่านั้น
References
membranes for environmental applications. Applied Catalysis B: Environmental, 63(1-2), 60-67.
Kope, B. M., Park, S. G., Lee, H. D. & Nishi, Y. (2012). First principles calculations of oxygen vacancy-ordering effects in resistance change
memory materials incorporating binary transition metal oxides. Journal of Material Science, 47, 7498-7514.
Meevasana, W., King, P. D. C., He, R. H., Mo, S.-K., Hashimoto, M., Tamai, A., Songsiriritthigul, P., Baumberger, F. & Shen, Z.-X. (2011). Creation
and control of a two-dimentional electron liquid at the bare SrTiO3 surface. Nature Materials, 10, 114-118.
Senain, I., Nayan, N. & Saim, H. (2010). Structural and Electrical Properties of TiO2 Thin Film Derived from Sol-gel Method using Titanium (IV)
Butoxide. International Journal of Integrated Engineering, 2(3):29-35.
Sugumaran, S. & Bellan, C.S. (2014). Transparent nano composite PVA–TiO2 and PMMA–TiO2 thin films: Optical and dielectric properties. Optik,
125(18), 5128-5133.
Suwanwong, S., Eknapakul, T., Rattanacha Y., . Masingboon, C., Rattanasuporn, S., Phatthanakun, R., Nakajima, H., King, P., Hodak, S. &
Meevasana, W. (2015) The dynamics of ultraviolet-induced oxygen vacancy at the surface of insulating SrTiO3. Applied Surface Science, 355,
210-212.
Suwanwong, S., Kullapapinyokul, J., Eknapakul, T., Buaphet, P., Pattanakul, R. & Meevasana w. (2014). Resistivity change in SrTiO3 upon
irradiation and its application in light sensing. Suranaree Journal of Science and Technology, 22(1), 93-98.
Yildiz, A., Lisesivdin S.B., Kasap M., & Mardare D. (2008). Electrical properties of TiO2 thin films. Journal of Non-Crystalline Solids, 254, 4944-4947.
Zhang, H., Zhao, L., Liang, Z. & Han, P. (2012). Effects of oxygen vacancy on the electronic structure and absorption spectra of bismuth
oxychloride. Computational Materials Science, 61, 180–184.
