ผลของตำแหน่งวัสดุรองรับในแนวรัศมีต่อโครงสร้างของฟิล์มบางไททาเนียมไดออกไซด์ ที่เคลือบด้วยวิธีดีซีรีแอคตีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง

Abstract

       ฟิล์มบางไททาเนียมไดออกไซด์เคลือบด้วยระบบดีซีรีแอกตีฟแมกนีตรอนสปัตเตอริง จากแก๊สผสม อาร์กอนกับออกซิเจน ผลการศึกษาพบว่าโครงสร้างผลึกของฟิล์มที่เคลือบได้ขึ้นกับตำแหน่งการวางวัสดุรองรับ โดยสามารถเคลือบฟิล์มบางไททาเนียมไดออกไซด์โครงสร้างผลึกแบบอนาเทสบนวัสดุรองรับซิลิกอน (1 0 0) โดยไม่ให้ความร้อนที่ตำแหน่ง 4.0 cm ในแนวรัศมี ขณะที่พบฟิล์มบางไททาเนียมไดออกไซด์โครงสร้างผลึกแบบผสม อนาเทส/รูไทล์ และอสัณฐาน ที่ตำแหน่งวัสดุรองรับในแนวรัศมีเท่ากับ 0.0-2.0 cm และ 6.0-8.0 cm ตามลำดับ ความหนา ความหยาบผิวและขนาดเกรนของฟิล์มจะลดลง เมื่อตำแหน่งวัสดุรองรับในแนวรัศมีเพิ่มขึ้น โดยความหนาฟิล์มลด จาก 154.2 nm เป็น 85.7 nm ความหยาบผิวลดจาก 5.6 nm เป็น 1.1 nm และขนาดเกรนของฟิล์มลดลงจาก 74.5 nm เป็น 48.0 nm 

       TiO2 thin films were deposited by DC reactive magnetron sputtering using a mixture of Ar and O2  gases. It was found that the crystalline structure strong depends on the radial position of the substrate. Anatase TiO2 thin film were successfully obtained on a unheated Si(100) substrate located at a radial position of 4.0 cm. While mixed phase of Anatase/Rutile and amorphous TiO2 films were deposited at radial positions of 0.0-2.0 cm and 60.0-80.0 cm, respectively. In addition, it was found that, the thickness, roughness and grains size of deposited films decreased with increasing radial position of the substrate. The films thickness decreased from 154.2 nm to 85.7 nm, roughness decreased from 5.6 nm to 1.1 nm and grains size decreased from 74.5 nm to 48 nm.