การเตรียมฟิล์มบางไทเทเนียมไดออกไซด์สำหรับฆ่าเชื้อแบคทีเรียโดยการฉายแสง

Abstract

           ฟิล์มบางไทเทเนียมไดออกไซด์เคลือบบนแผ่นซิลิกอนและกระจกด้วยวิธีรีแอคตีฟดีซีแมกนีตรอน สปัตเตอริงที่อัตราไหลแก๊สออกซิเจนต่างๆ ศึกษาโครงสร้างผลึกด้วยเทคนิค XRD ความหนาและลักษณะพื้นผิว ด้วยเทคนิค AFM และความสามารถในการฆ่าเชื้อแบคทีเรียโดยการฉายแสงยูวี ผลการศึกษาพบว่าฟิล์ม มีโครงสร้างแบบพหุผลึกเฟสของฟิล์มเปลี่ยนจาก รูไทล์ เป็นอนาเทสผสมรูไทล์ และอนาเทส เมื่ออัตราไหล แก๊สออกซิเจนเพิ่มขึ้นความหนาฟิล์มลดลงจาก 171 nm เป็น 136 nm ความหยาบผิวเพิ่มขึ้นจาก 2.0 nm เป็น 5.4 nm เมื่ออัตราไหลแก๊สออกซิเจนเพิ่มขึ้น ฟิล์มไทเทเนียม -ไดออกไซด์ที่ได้สามารถฆ่าเชื้อแบคทีเรียเมื่อสัมผัสแสงยูวีได้

             Titanium dioxide thin films have been deposited on Si-wafer and glass slide by reactive DC magnetron sputtering method at different oxygen gas flow rate. The crystal structure was characterized by XRD, surface morphology was analyzed by AFM and disinfection of surfaces by photo catalytic oxidation with titanium dioxide andUV light irradiation. The results shown that all films have polycrystalline structure and change from rutile, mixed of anatase/rutile and anatase as oxygen gas flow rate increases. The film thickness decrease form 171 nm to 136 nm, whilethe roughness increase form 2.00 nm to 5.42 nm with increasing of oxygen gas flow rate. The titanium dioxide film can kill the bacteria when expose to the UV light.